Japon Bellek Girişimi Neo Semiconductor, 3D X-DRAM Teknolojisi ile 128Gbit DRAM Çipleri Üretmek İstiyor
Neo Semiconductor, 3D X-DRAM adı verilen bir teknoloji kullanarak mevcut 16Gbit DRAM’den 8 kat daha yoğun olan DRAM çipleri üretmek istediğini duyurdu. Toplam 230 katman kullanılması planlanıyor ve bu, 128Gbit DRAM çipine ulaşmaya yardımcı olacak. Şirketin kurucu ortağı ve CEO’su Andy Hsu tarafından yapılacak açıklamaya göre, teknolojiyi DRAM üreticilerine (Micron, Samsung Semi, SK Hynix, Kingston Technology) lisanslamak için yapılan görüşmeler olumlu sonuçlanırsa ilk prototiplerin önümüzdeki yıl sunulması bekleniyor.
Bellek Yoğunluğu Artacak
3D X-DRAM, 3D NAND’a benzer şekilde, bellek yoğunluklarının katlanarak artması ile 2024’ten önce 1 Tb’ye ulaşmasını sağlayabilir. Göreceli olarak ufak bir gelişme olduğu söylenebilecek bir şekilde DRAM endüstrisinin 4 Gb’den 16 Gb bellek çiplerine geçmesi on yıldan fazla sürmüştü.
Bellek Maliyeti Azalacak
Neo’nun teknoloji çözümü, bellek maliyetini, 3D NAND’ın katı hal depolama için yaptığı kadar önemli ölçüde azaltabilir. Çözümü daha da cazip kılan bir diğer özelliği, katmanlamayı elde etmek için 3D NAND’a benzeyen, mevcut üretim tekniklerini kullanmasıdır.
Gelecekte RAM ile Çalışan Cihazlar
Son kullanıcılar açısından bakıldığında, sistem depolamasının bir platoya ulaştığı düşünülürse, uzak bir gelecekte yalnızca RAM ile çalışan cihazlar görmemiz mümkün olabilir. Böyle bir gelecek, genel olarak bilgi işlem ortamını ve modern işletim sistemlerinin çalışma şeklini değiştirebilecek bir değişim yaratabilir.
